Dank einer höheren Auflösung bei der Bildaufnahme und Materialcharakterisierung sowie einer schnelleren Materialbearbeitung verbessert Crossbeam 550 von Zeiss (Halle 4, Stand 4302) die 3D-Analytik und Probenpräparation bei FIB-Rems (Fokussierter Ionenstrahl Rasterelektronenmikroskope). Nanostrukturen – zum Beispiel in Verbundwerkstoffen, Metallen, Biomaterialien oder Halbleitern – können gleichzeitig mit analytischen und bildgebenden Methoden untersucht werden. Proben können simultan modifiziert und beobachtet werden, was in schneller Probenpräparation und hohem Durchsatz resultiert, zum Beispiel bei der Anfertigung von Querschnitten, TEM-Lamellen oder beim Nanopatterning. Der neue Tandem-Decel-Modus ermöglicht eine Maximierung des Bildkontrasts bei niedrigen Landeenergien. Mit der Gemini-II-Elektronenoptik werden optimale Auflösung bei Niederspannung und gleichzeitig hohem Strahlstrom erreicht. Die FIB-Säule kombiniert den höchsten verfügbaren FIB-Strom von 100 nA mit dem neuen Fastmill-Modus.
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