Im weltweiten Bemühen um neue Computer-Arbeitsspeicher mit Langzeitgedächtnis haben Wissenschaftler am Max-Planck-Institut für Mikrostrukturphysik in Halle/Saale nach eigenen Angaben einen Durchbruch geschafft: Ihnen sei es gelungen, dünne Schichten aus einem Ferroelektrischen Material auf Silizium-Wafern in einer besonders günstigen Kristallorientierung aufzubringen. Damit sei die Grundlage für Computerchips mit einem sehr großen Speichervermögen pro cm² geschaffen. Diese sogenannten nichtflüchtigen Festkörperspeicher sollen einmal eingespeicherte Informationen nicht mehr verlieren und das bislang in dynamischen Festkörperspeichern (DRAM) notwendige ständige Wiederauffrischen der Information überflüssig machen.
Teilen:
