Elektronische Schaltkreise lassen sich auch dann noch bearbeiten und verändern, wenn sie in tieferen Materialschichten liegen. Möglich wird dies mit einem Verfahren, das Forscher der Ruhr-Uni Bochum entwickelt haben. Sie nutzen die Hochenergie-Ionenimplantation, um beispielsweise die Spannungsfestigkeit von Leistungsbauelementen zu verbessern. Das Verfahren beruhe auf der Anwendung von Ergebnissen aus der Nanoforschung, wie es aus Bochum heißt, und es soll eine kostengünstigere Produktion von elektronischen Chips und Geräten ermöglichen. Die Ionen werden auf eine Geschwindigkeit beschleunigt, mit der sie funktionelle Schichten im Bauelement durchdringen können, ohne ihnen zu schaden. Das ermöglicht neue Designs elektronischer Bauelemente.
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