Die Lightmos-IGBT des Herstellers sollen eine um etwa 15 % billigere Alternative zu Mosfets sein, die in elektronischen Lampenvorschaltgeräten für Leuchtstoffröhren eingesetzt werden. Die Kombination von Trench- und Field-Stop-Technologie soll die Durchlass- und Schaltverluste deutlich verringern. Im Vergleich zu Mosfets ist das Schaltungsdesign einfacher, weil die Verlustleistung weniger von der Temperatur abhängt. Damit sinkt das Risiko von thermischen Instabilitäten. Die Lightmos-Bauteile können daher wesentlich enger an ihren Spezifikationsgrenzen betrieben werden. Die Bauteile seien die ersten mit monolithisch integrierter Rückwärtsdiode für resonante Halbbrücken-Topologien. Sie sind für Schaltfrequenzen zwischen 40 und 60 kHz ausgelegt und haben eine Sperrspannung von 600 V. tp/hw
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