US-Wissenschaftler melden einen Durchbruch in der Halbleiterentwicklung: Forschern der International Business Machines Corp. (IBM), Armonk/New York, ist es eigenen Angaben zufolge gelungen, gestreckte Silizium-Strukturen mit einer Silizium-Isolierungsschicht auf einem Wafer unterzubringen. Die Halbleiter sollen eine um 20 bis 30 % höhere Leistung liefern. Bereits Ende des Jahres könnten Transistoren auf den Markt kommen, in denen die neue Verfahrenstechnik zumindest teilweise eingesetzt werde. Produkte sind noch nicht angekündigt, könnten aber laut IBM in einigen Jahren die Marktreife erreichen.
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